500V N-Channel MOSFET The FQB4N50 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 70pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (fully isolated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications, such as power supplies and motor control.