### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 200V  
- **Current Rating (I_D)**: 4A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **R_DS(on) (Max)**: 1.5Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQB4N20TM.)

The FQB4N20TM is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering reliable power management solutions for various electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 4A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities, the FQB4N20TM ensures efficient power handling with minimal energy loss. Its TO-220AB package provides excellent thermal performance, making it suitable for high-power applications where heat dissipation is critical.  

The device incorporates advanced trench technology, enhancing its efficiency and reliability under demanding conditions. Additionally, it offers robust gate charge characteristics, contributing to improved switching performance in high-frequency circuits.  

Engineers and designers often choose the FQB4N20TM for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent operation while meeting stringent quality standards.  

Fairchild Semiconductor's FQB4N20TM remains a trusted component for power electronics, combining technical excellence with practical design considerations.