200V N-Channel Logic Level QFET The **FQB4N20LTM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 4A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of 1.2Ω (max) at 10V gate drive, the FQB4N20LTM minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the robust TO-220AB package ensures reliable thermal performance and mechanical durability.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, providing improved gate charge and reduced switching losses. Additionally, it offers enhanced avalanche ruggedness, ensuring stability under transient voltage conditions.  

Engineers and designers will appreciate its compatibility with standard drive circuits and its ability to operate over a wide temperature range. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the FQB4N20LTM delivers dependable performance in demanding environments.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper integration into your design.

200V N-Channel Logic Level QFET **Introduction to the FQB4N20LTM MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQB4N20LTM is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 4A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQB4N20LTM minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220AB package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Additionally, its built-in fast recovery diode improves switching performance in inductive load applications.  

Engineers and designers seeking a dependable, high-voltage MOSFET for power electronics will find the FQB4N20LTM a versatile and efficient solution, combining performance with durability.