60V P-Channel QFET The **FQB47P06TM_AM002** from Fairchild Semiconductor is a robust P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of -60V and a continuous drain current (I_D) of -47A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 26mΩ at V_GS = -10V, the FQB47P06TM_AM002 minimizes power losses, enhancing thermal performance and energy efficiency. Its fast switching capability makes it ideal for high-frequency applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

The MOSFET is housed in a TO-263 (D²PAK) package, ensuring reliable thermal dissipation and mechanical durability. Its advanced design incorporates Fairchild Semiconductor’s proprietary technology, offering improved reliability under demanding conditions.  

Engineers will appreciate the device’s enhanced avalanche ruggedness and ESD protection, which contribute to long-term stability in harsh environments. Whether used in battery management systems or load-switching circuits, the FQB47P06TM_AM002 delivers consistent performance while meeting stringent industry standards.  

For designers seeking a high-performance P-channel MOSFET, this component provides an optimal balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness.