60V P-Channel MOSFET The FQB47P06 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -47A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -188A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 160W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.026Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB47P06.

60V P-Channel MOSFET The FQB47P06 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -47A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -188A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = -10V:** 0.026Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

This device is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor/ON Semiconductor datasheet)