IC Phoenix logo

Home ›  F  › F18 > FQB3N80TM

FQB3N80TM from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

7.813ms

FQB3N80TM

Manufacturer: FSC

800V N-Channel QFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB3N80TM FSC 3200 In Stock

Description and Introduction

800V N-Channel QFET **Introduction to the FQB3N80TM MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQB3N80TM is an N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering robust performance for high-voltage switching applications. With a drain-source voltage (VDSS) rating of 800V and a continuous drain current (ID) of 3A, this component is well-suited for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

Featuring low gate charge (QG) and low on-resistance (RDS(on)), the FQB3N80TM ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications while maintaining thermal stability. The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing reliable heat dissipation and mechanical durability.  

Engineers value the FQB3N80TM for its rugged design, which includes built-in avalanche protection and a wide operating temperature range. These features enhance reliability in demanding environments. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent performance, making it a dependable choice for power management solutions.  

Fairchild Semiconductor’s commitment to quality ensures that the FQB3N80TM meets stringent industry standards, offering designers a high-performance component for their high-voltage circuit designs.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB3N80TM FAIRCHILD 721 In Stock

Description and Introduction

800V N-Channel QFET The FQB3N80TM is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 12A  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.0Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg)**: 8.0nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 250pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5.0pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB3N80TM.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips