800V N-Channel MOSFET The FQB3N80 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.