300V N-Channel QFET The FQB3N30TM is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB3N30TM.

300V N-Channel QFET The part **FQB3N30TM** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

Key specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 30V  
- **Current Rating (I_D)**: 3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.085Ω at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (Min) – 2.5V (Max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQB3N30TM.