100V P-Channel QFET The **FQB34P10TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of -100V and a continuous drain current (I_D) of -34A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of just 44mΩ at V_GS = -10V, the FQB34P10TM ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its robust design incorporates advanced trench technology, enhancing thermal performance and reliability under high-stress conditions.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Its fast switching characteristics make it ideal for DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems. Additionally, the device is optimized for low gate charge (Q_G), reducing drive requirements and improving overall efficiency.  

Engineers value the FQB34P10TM for its balance of performance, ruggedness, and cost-effectiveness. Whether used in high-power switching or energy-efficient designs, this MOSFET delivers consistent operation, making it a dependable choice for demanding applications.