The FQB34N20LTM from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 34A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQB34N20LTM minimizes power losses, improving efficiency in high-power circuits. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it ideal for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

The MOSFET is housed in a TO-263 (D²PAK) package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Its lead-free and RoHS-compliant design aligns with modern environmental standards.  

Engineers value the FQB34N20LTM for its balance of performance, efficiency, and ruggedness, making it a dependable choice for power electronics applications requiring high voltage and current handling capabilities.