100V N-Channel QFET The **FQB33N10TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 33A, this component is well-suited for switching and amplification in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 44mΩ at 10V gate drive, the FQB33N10TM ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the robust TO-263 (D2PAK) package provides excellent thermal performance and mechanical durability.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, enhancing its efficiency and reliability in demanding environments. Additionally, its logic-level gate drive compatibility simplifies integration with modern control circuits.  

Engineers often select the FQB33N10TM for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies, where high current handling and thermal stability are critical. Its combination of performance, ruggedness, and compact packaging makes it a versatile choice for power electronics design.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in circuit designs.

100V N-Channel QFET The FQB33N10TM is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 47nC (typical)  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB33N10TM.