200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part FQB32N20C is a Power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 32A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 128A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 250W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typical)  
- **Package**: TO-3P  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.