60V N-Channel MOSFET The FQB30N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typical)  
- **Package**: TO-263 (D²PAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications, such as power supplies and motor control.

60V N-Channel MOSFET The FQB30N06 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB30N06.