900V N-Channel QFET The **FQB2NA90TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a 900V drain-to-source voltage rating, making it suitable for high-voltage switching circuits such as power supplies, inverters, and motor control systems.  

With a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the FQB2NA90TM ensures minimal power loss and improved thermal performance. Its advanced planar stripe technology enhances reliability and efficiency, even under demanding operating conditions. The device is housed in a TO-3P package, providing robust thermal dissipation and mechanical durability.  

Engineers and designers will appreciate its high avalanche energy capability, which contributes to enhanced ruggedness in transient voltage scenarios. Additionally, the MOSFET is optimized for applications requiring high-speed switching, ensuring smooth performance in both industrial and consumer electronics.  

The FQB2NA90TM is a dependable choice for power conversion systems where efficiency, durability, and high-voltage handling are critical. Its combination of performance and reliability makes it a preferred component in modern power electronics design.

900V N-Channel QFET **Introduction to the FQB2NA90TM by Fairchild Semiconductor**  

The FQB2NA90TM is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering robust power management capabilities for a variety of electronic applications. With a voltage rating of 900V and a low on-resistance (RDS(on)), this component ensures efficient power switching with minimal energy loss, making it suitable for high-voltage circuits.  

Engineered for reliability, the FQB2NA90TM features fast switching speeds and low gate charge, enhancing performance in power supplies, motor control, and industrial systems. Its advanced trench technology optimizes thermal efficiency, reducing heat dissipation concerns in demanding environments.  

Packaged in a TO-3P form factor, the device provides excellent mechanical durability and heat dissipation, ensuring stable operation under high-current conditions. Whether used in inverters, converters, or other power electronics, the FQB2NA90TM delivers consistent performance with high breakdown voltage and ruggedness.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that this MOSFET meets stringent industry standards, making it a dependable choice for engineers seeking efficiency and durability in high-voltage applications.