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FQB2N90TM from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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FQB2N90TM

Manufacturer: FAIRCHILD

900V N-Channel QFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB2N90TM FAIRCHILD 607 In Stock

Description and Introduction

900V N-Channel QFET The **FQB2N90TM** is a power MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.5Ω @ VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (Ciss):** 120pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Package:** TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)

Application Scenarios & Design Considerations

900V N-Channel QFET# FQB2N90TM Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQB2N90TM is a 900V N-channel MOSFET specifically designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in both forward and flyback topologies
- Power factor correction (PFC) circuits operating at high voltages
- DC-DC converters requiring high breakdown voltage capability
- Industrial power supplies up to 600V input systems

 Motor Control Applications 
- Three-phase motor drives for industrial equipment
- Brushless DC motor controllers
- Variable frequency drives (VFDs) in HVAC systems
- Industrial automation motor control circuits

 Lighting Systems 
- High-voltage LED drivers for commercial lighting
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- HID lamp ballasts requiring robust switching components

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- Factory automation equipment power stages
- Robotic control systems
- CNC machine power supplies
- Industrial motor drives up to 5kW capacity

 Consumer Electronics 
- High-end audio amplifier power supplies
- Large-screen television power circuits
- Computer server power supplies
- High-power adapter circuits

 Renewable Energy 
- Solar inverter DC-AC conversion stages
- Wind turbine power conversion systems
- Battery storage system power management

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 900V drain-source voltage rating enables operation in 600VAC systems with sufficient margin
-  Low Gate Charge : Typical Qg of 28nC allows for efficient high-frequency switching up to 100kHz
-  Fast Switching Speed : Typical tr of 35ns and tf of 25ns reduces switching losses
-  Low RDS(on) : Maximum 2.8Ω at 25°C provides good conduction characteristics
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive switching

 Limitations: 
-  Moderate RDS(on) : Higher than specialized low-voltage MOSFETs, limiting efficiency in low-voltage applications
-  Gate Threshold Sensitivity : VGS(th) of 2.5-5.0V requires careful gate drive design
-  Thermal Considerations : Requires proper heatsinking at currents above 1A continuous
-  Cost Considerations : Premium pricing compared to lower voltage alternatives

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive voltage leading to incomplete turn-on and excessive heating
-  Solution : Implement gate drivers capable of providing 10-15V with adequate current capability (≥2A peak)

 Voltage Spikes and Ringing 
-  Pitfall : Overshoot and ringing during switching causing voltage stress exceeding ratings
-  Solution : Incorporate snubber circuits and optimize PCB layout to minimize parasitic inductance

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway and device failure
-  Solution : Calculate power dissipation accurately and provide sufficient copper area or external heatsink

 ESD Sensitivity 
-  Pitfall : Static discharge damage during handling and assembly
-  Solution : Follow ESD protection protocols and consider series gate resistors for additional protection

### Compatibility Issues with Other Components
 Gate Driver Compatibility 
- Requires drivers with sufficient voltage headroom (10-15V recommended)
- Compatible with most modern gate driver ICs (IR21xx series, UCC2751x, etc.)
- May require level shifting when interfacing with 3.3V microcontroller outputs

 Protection Circuit Requirements 
- Needs overcurrent protection due to limited SOA (Safe Operating Area)
- Requires voltage clamping for inductive load switching
- Compatible with standard current sense resistors and protection ICs

 Filter Component Interaction 
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