900V N-Channel QFET The **FQB2N90TM** is a power MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Package:** TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)