800V N-Channel MOSFET The FQB2N80 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typ)  
10. **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typ)  
11. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
12. **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
13. **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typ)  
14. **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and inverters.