100V P-Channel QFET The part **FQB22P10TM** is a PowerTrench MOSFET manufactured by **ON Semiconductor**. Here are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Voltage (V_DSS)**: -100V  
- **Current (I_D)**: -22A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on)**: 0.055Ω (max at V_GS = -10V)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Technology**: PowerTrench (low R_DS(on) and fast switching)  

For detailed datasheet information, refer to ON Semiconductor's official documentation.

100V P-Channel QFET The part FQB22P10TM is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS)**: -100V  
- **Current Rating (I_D)**: -22A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.055Ω (at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **Package**: TO-220AB  
- **Technology**: TrenchFET®  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.