IC Phoenix logo

Home ›  F  › F18 > FQB22P10

FQB22P10 from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

FQB22P10

Manufacturer: FSC

100V P-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB22P10 FSC 83 In Stock

Description and Introduction

100V P-Channel MOSFET The **FQB22P10** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching circuits, motor control, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of -100V and a continuous drain current (ID) of -22A, the FQB22P10 ensures efficient power handling while minimizing conduction losses. Its advanced trench technology enhances switching performance, reducing power dissipation in high-frequency applications.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Its gate charge (Qg) and input capacitance (Ciss) are optimized for fast switching, improving efficiency in power supply designs.  

Engineers favor the FQB22P10 for its reliability in demanding environments, including industrial automation, automotive systems, and renewable energy solutions. Its robust construction and electrical characteristics make it a versatile choice for designers seeking a balance between performance and cost-effectiveness.  

For detailed specifications, refer to the datasheet to ensure proper integration into your circuit design. The FQB22P10 remains a dependable option for high-power P-channel MOSFET applications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB22P10 FAIRCHILD 3 In Stock

Description and Introduction

100V P-Channel MOSFET The FQB22P10 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: -100V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: -22A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: -88A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.055Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQB22P10.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips