60V N-Channel Logic level QFET The FQB20N06LTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 80A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.034Ω (at V_GS = 10V, I_D = 10A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 25nC  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB20N06LTM.