FQB1N60TMManufacturer: FAIRCHILD 600V N-Channel QFET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
FQB1N60TM | FAIRCHILD | 396 | In Stock |
Description and Introduction
600V N-Channel QFET **Introduction to the FQB1N60TM MOSFET by Fairchild Semiconductor**  
The FQB1N60TM is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. Manufactured by Fairchild Semiconductor, this component features a 600V drain-source voltage rating and a low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for switching and power conversion circuits.   With a fast switching speed and robust thermal performance, the FQB1N60TM is ideal for use in power supplies, motor control systems, and energy-efficient inverters. Its advanced trench technology ensures reduced conduction losses, enhancing overall system efficiency. The device is also designed to withstand high-voltage transients, providing reliable operation in demanding environments.   The FQB1N60TM comes in a TO-220F package, offering excellent heat dissipation and mechanical durability. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards. Engineers and designers can leverage this MOSFET to optimize performance in industrial, automotive, and consumer electronics applications where power efficiency and reliability are critical.   Fairchild Semiconductor's FQB1N60TM combines high-voltage capability with low power dissipation, making it a versatile choice for modern power electronics designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips