200V N-Channel QFET The part FQB19N20TM is a Power MOSFET manufactured by FCS (Fairchild Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.19Ω (max) at V_GS = 10V
- **Gate Charge (Q_g)**: 42nC (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

This MOSFET is designed for high-speed switching applications.