The FQB19N20C is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering robust power handling and efficiency for a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 19A, this component is well-suited for power conversion, motor control, and switching circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 0.19Ω, the FQB19N20C minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in high-power designs. Its fast switching capability ensures reliable performance in high-frequency applications, while the TO-220AB package provides excellent thermal dissipation for improved heat management.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, delivering superior gate charge characteristics and reduced switching losses. Its rugged design ensures durability in demanding environments, making it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers and designers will appreciate the FQB19N20C for its balance of performance, thermal efficiency, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for modern power electronics.