100V N-Channel Logic Level QFET The FQB19N10LTM is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V
- **Continuous Drain Current (ID):** 19A
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 76A
- **Power Dissipation (PD):** 50W
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.055Ω (max) at VGS = 10V
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V
- **Total Gate Charge (Qg):** 30nC (typ) at VDS = 80V, VGS = 10V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and fast switching, such as power supplies and motor control.