100V P-Channel QFET The part **FQB17P10TM** is manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Technology**: PowerTrench®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -68A  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.055Ω (at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for power management applications, including switching regulators and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQB17P10TM.)