80V N-Channel MOSFET The FQB17N08 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 68A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typ)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.