250V N-Channel QFET The FQB16N25TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
2. **Part Number**: FQB16N25TM  
3. **Type**: N-Channel MOSFET  
4. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
5. **Continuous Drain Current (I_D)**: 16A  
6. **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
8. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
9. **Package**: TO-220AB  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

250V N-Channel QFET The FQB16N25TM is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 64A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 160W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1700pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.