300V N-Channel QFET The FQB14N30TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 300V  
- **Current Rating (I_D)**: 14A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.35Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 45nC (typical)  
- **Package**: TO-220AB  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-speed switching applications, including power supplies and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)

300V N-Channel QFET The FQB14N30TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 56A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Avalanche Energy (E_AS)**: 560mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-speed switching applications, such as power supplies and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet)