The **FQB13N10LTM** is an N-channel power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor, designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 13A, this MOSFET is well-suited for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 85mΩ (max) at 10V gate drive, the FQB13N10LTM minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its fast switching characteristics and robust design make it ideal for applications requiring high-speed operation while maintaining thermal stability.  

The device is housed in a **TO-263 (D²PAK)** package, providing excellent power dissipation and mechanical durability. Additionally, it incorporates advanced trench technology to enhance performance in demanding environments.  

Key applications include:  
- Switching power supplies  
- Automotive systems  
- Industrial automation  
- LED drivers  

Engineers value the FQB13N10LTM for its reliability, efficiency, and ease of integration into various power electronics designs. Its combination of high voltage tolerance and low power loss makes it a versatile choice for modern electronic systems.