IC Phoenix logo

Home ›  F  › F18 > FQB13N06LTM

FQB13N06LTM from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

FQB13N06LTM

Manufacturer: FSC

60V N-Channel Logic level QFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB13N06LTM FSC 4000 In Stock

Description and Introduction

60V N-Channel Logic level QFET The **FQB13N06LTM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) of 0.045 Ω, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 13A, it is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Built using advanced trench technology, the FQB13N06LTM offers fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications. Its compact TO-252 (DPAK) package provides excellent thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs. Additionally, the MOSFET includes an integrated Schottky diode, enhancing its efficiency in inductive load applications.  

Engineers appreciate its robustness and reliability, backed by Fairchild Semiconductor’s stringent quality standards. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, the FQB13N06LTM delivers consistent performance under demanding conditions. Its combination of low conduction losses, high-speed operation, and thermal efficiency makes it a preferred choice for modern power electronics designs.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB13N06LTM FAIRCHILD 527 In Stock

Description and Introduction

60V N-Channel Logic level QFET The FQB13N06LTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 13A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 48W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.045Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V (max)  
- **Package**: TO-220AB (through-hole)  
- **Technology**: TrenchFET®  
- **Applications**: Power switching in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  

This MOSFET is designed for low gate charge and fast switching performance.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips