60V P-Channel QFET The FQB11P06TM is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 24nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB11P06TM.