400V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQB11N40C is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 400V  
- **Current Rating (I_D)**: 11A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **Package**: TO-220AB  
- **Technology**: N-Channel MOSFET  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed application considerations, refer to the datasheet.

400V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQB11N40C is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 400V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 11A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 44A
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max) at V_GS = 10V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 28nC (typical)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB11N40C.