200V N-Channel Advance QFET C-series The FQB10N20C is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 900pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the datasheet for the FQB10N20C from FAIRCHILD.