250V N-Channel MOSFET The **FQAF27N25** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 250V and a continuous drain current (I_D) of 27A, this component is well-suited for switching and amplification in demanding circuits. Its low on-resistance (R_DS(on)) of 0.075Ω ensures minimal power loss, enhancing efficiency in high-current applications.  

Built using advanced trench technology, the FQAF27N25 offers fast switching speeds and improved thermal performance, making it ideal for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters. The device features a robust TO-3P package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability.  

Key specifications include a gate charge (Q_g) of 65nC and a maximum power dissipation of 200W, ensuring reliable operation under high-stress conditions. The MOSFET also incorporates an intrinsic body diode, which aids in protecting the circuit from voltage spikes.  

Engineers and designers favor the FQAF27N25 for its balance of efficiency, ruggedness, and performance, making it a dependable choice for industrial and automotive applications where reliability is critical. Its compliance with industry standards further underscores its suitability for professional-grade designs.