The FQAF13N80 is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering robust power management solutions for a variety of applications. With a voltage rating of 800V and a continuous drain current of 13A, this component is well-suited for high-voltage switching circuits, power supplies, and motor control systems.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, the FQAF13N80 enhances efficiency while minimizing power losses. Its advanced design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET incorporates a planar stripe technology that improves thermal performance and reduces conduction losses. Additionally, its avalanche ruggedness and high dv/dt rating contribute to enhanced durability in high-stress environments.  

Packaged in a TO-3P form factor, the FQAF13N80 provides excellent heat dissipation, further supporting its use in high-power applications. Engineers and designers can leverage its performance characteristics to optimize system efficiency and reliability in power conversion and switching circuits.  

As a key component in modern power electronics, the FQAF13N80 exemplifies Fairchild Semiconductor’s commitment to delivering high-quality, high-performance semiconductor solutions.