The FQA9N90 from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a voltage rating of 900V and a continuous drain current of 9A, this component is well-suited for high-voltage switching circuits, including power supplies, inverters, and motor control systems.  

Built using advanced trench technology, the FQA9N90 offers low on-resistance (RDS(on)) and high switching efficiency, reducing power losses and improving thermal performance. Its robust design ensures reliable operation in demanding environments, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

Key features include a fast switching speed, low gate charge, and an avalanche energy rating that enhances durability under transient conditions. The device is housed in a TO-3P package, providing excellent heat dissipation and mechanical strength.  

Engineers value the FQA9N90 for its balance of performance and cost-effectiveness, particularly in applications requiring high voltage handling and efficient power conversion. Its specifications make it a versatile solution for both commercial and industrial power electronics designs.  

By combining high-voltage capability with low conduction losses, the FQA9N90 exemplifies Fairchild Semiconductor’s commitment to delivering reliable power semiconductor solutions.