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FQA8N80C from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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FQA8N80C

Manufacturer: FAIRCHILD

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQA8N80C FAIRCHILD 90 In Stock

Description and Introduction

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series **Introduction to the FQA8N80C Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQA8N80C is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor to deliver efficient power management in a variety of applications. With an 800V drain-source voltage rating and an 8A continuous drain current capability, this component is well-suited for high-voltage switching tasks, including power supplies, inverters, and motor control circuits.  

Built using advanced trench technology, the FQA8N80C offers low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its robust design enhances reliability in demanding environments, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET features a TO-3P package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Additionally, its high avalanche energy rating ensures resilience against voltage spikes, further enhancing system stability.  

Engineers value the FQA8N80C for its balance of efficiency, ruggedness, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for high-voltage power conversion and control applications. Whether used in offline power supplies or industrial automation, this MOSFET delivers consistent performance under challenging conditions.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FQA8N80C meets stringent industry standards, offering designers a dependable component for their high-power circuits.

Application Scenarios & Design Considerations

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series# FQA8N80C Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQA8N80C is a high-voltage N-channel MOSFET specifically designed for demanding power conversion applications where high voltage capability and low switching losses are critical requirements.

 Primary Applications: 
-  Switch Mode Power Supplies (SMPS) : Particularly in flyback and forward converter topologies operating at 400-800V input voltages
-  Power Factor Correction (PFC) Circuits : Used in boost converter stages for improving power quality in AC-DC converters
-  Motor Drive Systems : Three-phase motor drives and inverter circuits for industrial applications
-  Lighting Ballasts : Electronic ballasts for high-intensity discharge (HID) and fluorescent lighting systems
-  Welding Equipment : Power conversion stages in industrial welding machines

### Industry Applications
 Industrial Automation: 
- Variable frequency drives (VFDs) for motor control
- Uninterruptible power supplies (UPS) systems
- Industrial power supplies for machinery and equipment

 Consumer Electronics: 
- High-power audio amplifiers
- Large-screen television power supplies
- Computer server power supplies

 Renewable Energy: 
- Solar inverter systems
- Wind power conversion systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Rating : 800V drain-source voltage capability provides excellent margin for 400VAC line applications
-  Fast Switching : Typical switching times of 35ns (turn-on) and 65ns (turn-off) enable high-frequency operation
-  Low RDS(on) : 1.2Ω maximum at 25°C ensures minimal conduction losses
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive switching
-  Improved dv/dt Capability : Enhanced immunity to false triggering in noisy environments

 Limitations: 
-  Gate Charge : Relatively high total gate charge (18nC typical) requires careful gate driver design
-  Thermal Management : Maximum junction temperature of 150°C necessitates proper heatsinking in high-power applications
-  Voltage Derating : Requires derating at elevated temperatures and high-altitude applications
-  Cost Consideration : Higher cost compared to standard 500-600V MOSFETs for equivalent current ratings

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues: 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current leading to slow switching and excessive switching losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of delivering 1-2A peak current with proper rise/fall times

 Thermal Management: 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway and device failure
-  Solution : Implement proper thermal interface materials and calculate heatsink requirements based on worst-case power dissipation

 Voltage Spikes: 
-  Pitfall : Uncontrolled voltage overshoot during turn-off exceeding maximum VDS rating
-  Solution : Incorporate snubber circuits and ensure proper PCB layout to minimize parasitic inductance

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers: 
- Compatible with most industry-standard gate driver ICs (IR21xx series, TLP250, etc.)
- Requires drivers with minimum 10V VGS capability for full enhancement
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>100ns) to prevent excessive switching losses

 Control ICs: 
- Works well with popular PWM controllers (UC38xx, TL494, SG3525)
- Compatible with resonant mode controllers for LLC converters
- Ensure proper dead-time implementation to prevent shoot-through in bridge configurations

 Protection Circuits: 
- Requires overcurrent protection with desaturation detection
- Thermal protection should monitor case temperature
- Implement undervoltage lockout (UVLO) for gate drive

### PCB Layout Recommendations

 Power Stage Layout: 
- Minim

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