The FQA8N80C is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor to deliver efficient power management in a variety of applications. With an 800V drain-source voltage rating and an 8A continuous drain current capability, this component is well-suited for high-voltage switching tasks, including power supplies, inverters, and motor control circuits.  

Built using advanced trench technology, the FQA8N80C offers low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its robust design enhances reliability in demanding environments, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET features a TO-3P package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Additionally, its high avalanche energy rating ensures resilience against voltage spikes, further enhancing system stability.  

Engineers value the FQA8N80C for its balance of efficiency, ruggedness, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for high-voltage power conversion and control applications. Whether used in offline power supplies or industrial automation, this MOSFET delivers consistent performance under challenging conditions.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FQA8N80C meets stringent industry standards, offering designers a dependable component for their high-power circuits.