900V N-Channel MOSFET The FQA7N90 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number:** FQA7N90  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 900V  
- **Current Rating (I_D):** 7A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.2Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Package:** TO-3P  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQA7N90.

900V N-Channel MOSFET The part **FQA7N90** is a Power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 28A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typical)  
- **Package**: TO-3P  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQA7N90.)

900V N-Channel MOSFET The FQA7N90 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_DSS):** 900V  
- **Current Rating (I_D):** 7A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 3.5A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Package:** TO-3P  
- **Technology:** SuperFET® (low gate charge, fast switching)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQA7N90.