200V N-Channel MOSFET The FQA65N20 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 200V  
- **Current Rating (ID)**: 65A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD)**: 300W  
- **RDS(ON)**: 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-3P  

This device is designed for high-power switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQA65N20)

200V N-Channel MOSFET The FQA65N20 is a power MOSFET with the following specifications:  

- **Manufacturer**: N/A (Not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 200V  
- **Current Rating (I_D)**: 65A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 500W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-3P  

No additional manufacturer details are provided in Ic-phoenix technical data files.

200V N-Channel MOSFET The FQA65N20 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 65A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 260A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 32.5A)  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 65A, V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-3P (TO-247 equivalent)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

200V N-Channel MOSFET The FQA65N20 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key specifications from the FAI (Fairchild) datasheet:

1. **Voltage Rating (V_DSS)**: 200V  
2. **Current Rating (I_D)**: 65A (continuous at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 260A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 300W (at 25°C case temperature)  
5. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 32.5A)  
6. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
7. **Gate Charge (Q_g)**: 150nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 65A)  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 4000pF (typical)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 800pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 200pF (typical)  
11. **Package**: TO-3P (isolated tab)  

These are the factual specifications provided in the FAI datasheet for the FQA65N20 MOSFET.