100V N-Channel MOSFET The **FQA140N10** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. This robust component features a 100V drain-source voltage rating and a continuous drain current capability of 140A, making it suitable for high-power switching circuits, motor drives, and DC-DC converters.  

Built with advanced trench technology, the FQA140N10 offers low on-resistance (RDS(on)) of just 4.5mΩ (typical), ensuring minimal conduction losses and improved efficiency. Its fast switching characteristics further enhance performance in high-frequency applications.  

The MOSFET is housed in a TO-3PN package, providing excellent thermal dissipation for demanding environments. With a gate charge (Qg) optimized for efficient drive control, it reduces power losses in switching operations. Additionally, the device includes an integrated body diode, offering protection against reverse voltage spikes.  

Engineers favor the FQA140N10 for its reliability, high current handling, and thermal stability, making it a preferred choice for industrial, automotive, and power supply designs. Its rugged construction ensures durability under harsh operating conditions, reinforcing its position as a dependable solution for high-power electronic systems.

100V N-Channel MOSFET The FQA140N10 is a power MOSFET manufactured by FCS (Fairchild Semiconductor). Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 560A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 600W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 210nC (typical)  
- **Package**: TO-3P  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQA140N10.