800V N-Channel MOSFET # Introduction to the FQA13N80 Power MOSFET  

The **FQA13N80** is an N-channel power MOSFET from Fairchild Semiconductor, designed for high-voltage and high-speed switching applications. With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 800V and a continuous drain current (I_D) of 13A, this MOSFET is well-suited for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQA13N80 ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its robust design includes an intrinsic body diode for improved reliability in inductive load applications.  

The device is housed in a TO-3P package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. It is also characterized by low gate charge (Q_g), making it suitable for high-frequency switching operations.  

Engineers often select the FQA13N80 for its balance of performance, ruggedness, and cost-effectiveness in demanding power electronics applications. Proper heat sinking and gate drive considerations are essential to maximize its efficiency and longevity in circuit designs.  

For detailed specifications, refer to the manufacturer’s datasheet to ensure compatibility with specific design requirements.

800V N-Channel MOSFET The part FQA13N80 is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is an N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 800V  
- **Current Rating (I_D)**: 13A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-3P  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQA13N80.