600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part FQA10N60C is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V
- **Current Rating (I_D)**: 10A (at 25°C)
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.73Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 5A)
- **Package**: TO-3P (TO-247 equivalent)
- **Technology**: SuperFET® (Fast Switching, Low Gate Charge)
- **Applications**: Power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.

600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part FQA10N60C is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number**: FQA10N60C  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V  
- **Current Rating (I_D)**: 10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-3P  
- **Technology**: Fast Switching, High Voltage  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQA10N60C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns (typ)  
- **Package**: TO-3P  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.