PNP Low Saturation Transistor The FPN660A is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -26A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 3W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FPN660A.

PNP Low Saturation Transistor The part FPN660A is manufactured by **Fairchild Semiconductor**.  

**FSC (Federal Supply Class) Specifications**:  
- **FSC Code**: 5962 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  
- **Description**: The part falls under the category of semiconductor devices, specifically as a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)**.  

Additional details from Ic-phoenix technical data files:  
- **Package Type**: TO-92 (a common through-hole transistor package).  
- **Electrical Characteristics**:  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V  
  - **Collector Current (I_C)**: -500mA  
  - **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  

This information is based on standard manufacturer specifications and FSC classification.