PNP Low Saturation Transistor The FPN660 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.18Ω (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 12nC  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 370pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FPN660 P-Channel MOSFET.