Hybrid transistor The part FP1F3P is manufactured by NEC. It is a semiconductor device, specifically a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Below are the key specifications:

- **Type**: P-channel MOS FET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: -5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated type)  

These specifications are based on NEC's datasheet for the FP1F3P.