EasyPIM? module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC The **FP15R12W1T4** from Infineon is a high-performance **IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module** designed for demanding power electronics applications. This module integrates advanced semiconductor technology to deliver efficient switching and robust performance in industrial drives, renewable energy systems, and motor control applications.  

Featuring a **1200V voltage rating** and a **15A current rating**, the FP15R12W1T4 is built with **TrenchStop™ IGBT technology**, ensuring low conduction and switching losses for improved energy efficiency. The module also includes a freewheeling diode, enhancing its reliability in high-frequency switching circuits.  

With a compact and rugged design, the FP15R12W1T4 offers excellent thermal performance, making it suitable for harsh operating environments. Its low thermal resistance and high power density contribute to extended system lifespan and reduced cooling requirements.  

Engineers favor this module for its **high short-circuit withstand capability** and precise control characteristics, which are critical for industrial automation and power conversion systems. Whether used in inverters, UPS systems, or welding equipment, the FP15R12W1T4 provides a dependable solution for high-power applications.  

By combining efficiency, durability, and advanced semiconductor technology, this IGBT module stands as a reliable choice for modern power electronics designs.