The FP15R12KT3 is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed by Infineon Technologies for power electronics applications. This module integrates advanced trench and field-stop IGBT technology, ensuring low conduction and switching losses, making it ideal for industrial motor drives, renewable energy systems, and power converters.  

With a voltage rating of 1200V and a current rating of 15A, the FP15R12KT3 provides robust performance in demanding environments. Its compact and efficient design features a three-phase bridge configuration, simplifying integration into various power circuits. The module also includes a built-in NTC thermistor for temperature monitoring, enhancing system reliability.  

Key advantages of the FP15R12KT3 include high thermal cycling capability, low electromagnetic interference (EMI), and optimized switching behavior. These characteristics contribute to improved energy efficiency and extended operational lifespan in applications such as inverters, UPS systems, and welding equipment.  

Engineers and designers favor this module for its balance of power density and thermal management, ensuring stable operation under high-load conditions. The FP15R12KT3 exemplifies Infineon’s commitment to delivering high-quality power semiconductor solutions for modern industrial and renewable energy applications.