Compound transistor The part FN1F4M-T1B is manufactured by NEC. It is a surface-mount Schottky barrier diode with the following specifications:  

- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 100µA (maximum at VR)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

These specifications are based on NEC's datasheet for the FN1F4M-T1B diode.