N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET The part FMV19N60ES is a MOSFET manufactured by FUJI. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: FUJI  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 35ns (typ)  
- **Package**: TO-3P  

These are the factual specifications for the FMV19N60ES MOSFET by FUJI.