Collector current:IC=2A, power dissipation :PC=625mw The FMMT619 is a transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–400 (at I_C = 100mA)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the datasheet for the ZETEX FMMT619 transistor.

Collector current:IC=2A, power dissipation :PC=625mw The FMMT619 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Diodes Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: PNP transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-400 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  
- **Package**: SOT-23  

These are the manufacturer-provided specifications for the FMMT619 transistor.