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FMLG22S from SANKEN

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FMLG22S

Manufacturer: SANKEN

ULTRA-FAST-RECOVERY RECTIFIER DIODES

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FMLG22S SANKEN 1800 In Stock

Description and Introduction

ULTRA-FAST-RECOVERY RECTIFIER DIODES The FMLG22S is a semiconductor device manufactured by SANKEN. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: SANKEN  
- **Part Number**: FMLG22S  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: TO-220F  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 22A  
- **Power Dissipation (PD)**: 100W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.19Ω (max)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on available specifications and may vary depending on the datasheet version. Always refer to the official SANKEN datasheet for precise details.

Application Scenarios & Design Considerations

ULTRA-FAST-RECOVERY RECTIFIER DIODES # Technical Documentation: FMLG22S Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FMLG22S is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency and high-efficiency applications. Its primary use cases include:

-  Power Supply Rectification : Employed in switch-mode power supplies (SMPS) for AC-DC conversion, particularly in low-voltage, high-current output stages (e.g., 3.3V, 5V rails) where low forward voltage drop is critical for efficiency.
-  Reverse Polarity Protection : Used as a series protection diode in battery-powered devices and DC input circuits to prevent damage from incorrect power supply connection.
-  Freewheeling/Clamping Diode : In inductive load switching circuits (e.g., motor drives, relay controllers) to provide a safe discharge path for stored energy, protecting switching transistors from voltage spikes.
-  OR-ing Diode : In redundant power supply systems or battery backup circuits to allow automatic switching between power sources without back-feeding.

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Smartphone chargers, laptop adapters, gaming consoles, and LED TV power boards.
-  Automotive Electronics : DC-DC converters, infotainment systems, and LED lighting drivers (non-critical ECUs).
-  Industrial Control : PLC I/O modules, sensor interfaces, and low-power motor drives.
-  Telecommunications : PoE (Power over Ethernet) devices, router/switch power modules.
-  Renewable Energy : Solar charge controllers and small wind turbine rectifiers.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low Forward Voltage (VF) : Typically 0.38V at 1A, reducing power loss and heat generation compared to standard PN junction diodes.
-  Fast Switching Speed : Reverse recovery time <10ns, minimizing switching losses in high-frequency circuits (up to 1MHz).
-  High Current Capability : Continuous forward current rating of 2A in a compact SMA package.
-  Good Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (RθJC) enables effective heat dissipation.

 Limitations: 
-  Higher Reverse Leakage Current : Compared to PN diodes, especially at elevated temperatures (can exceed 1mA at 125°C).
-  Limited Reverse Voltage Rating : Maximum 40V, restricting use in higher voltage applications.
-  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with temperature (negative temperature coefficient), which can lead to current hogging in parallel configurations without balancing.
-  Voltage Overshoot Vulnerability : Susceptible to damage from voltage transients exceeding maximum ratings due to thin barrier construction.

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Pitfall 1: Thermal Runaway in Parallel Configurations 
-  Problem : Negative temperature coefficient of VF can cause current imbalance, where the hottest diode conducts more current, leading to thermal runaway.
-  Solution : Avoid simple paralleling. If necessary, use separate current-limiting resistors or select diodes from same production lot. Consider using a single higher-current diode instead.

 Pitfall 2: Voltage Spike Destruction 
-  Problem : Inductive switching circuits generate voltage spikes exceeding maximum reverse voltage (VRRM).
-  Solution : Implement snubber circuits (RC networks) across inductive loads or use TVS diodes for additional protection. Ensure proper derating (typically 80% of VRRM for continuous operation).

 Pitfall 3: High-Frequency Ringing 
-  Problem : Fast switching combined with parasitic inductance/capacitance causes ringing at transitions.
-  Solution : Minimize loop area in high-current paths, use ground planes, and consider adding small ferrite beads or damping resistors in series.

### Compatibility Issues with Other Components
-  With MOSFETs/IGBTs : Compatible with most switching

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FMLG22S SK 6494 In Stock

Description and Introduction

ULTRA-FAST-RECOVERY RECTIFIER DIODES The FMLG22S is a part manufactured by SK. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** SK  
- **Part Number:** FMLG22S  
- **Type:** Linear guide  
- **Material:** High-carbon chromium bearing steel  
- **Load Capacity:** Dynamic load rating of 5.8 kN, static load rating of 7.5 kN  
- **Precision Grade:** Normal grade (P0)  
- **Dimensions:** 22 mm width, 22 mm height, standard length options available  
- **Sealing:** Rubber seals on both sides for dust and contaminant protection  
- **Lubrication:** Pre-greased with high-performance lubricant  
- **Operating Temperature Range:** -30°C to +120°C  

No additional guidance or suggestions are provided.

Application Scenarios & Design Considerations

ULTRA-FAST-RECOVERY RECTIFIER DIODES # Technical Documentation: FMLG22S Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The FMLG22S is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency and high-efficiency applications. Its primary use cases include:

-  Voltage Clamping and Protection : Used in circuits to prevent voltage spikes from damaging sensitive components, particularly in power supply inputs and communication lines
-  Reverse Polarity Protection : Employed in DC power input stages to block reverse current flow
-  Freewheeling/Clamp Diodes : In switching power supplies and DC-DC converters to provide current paths during switching transitions
-  OR-ing Diodes : In redundant power systems to isolate multiple power sources
-  Signal Demodulation : In RF circuits due to its fast switching characteristics

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Smartphones, tablets, and portable devices for power management
-  Automotive Systems : ECU power protection, lighting circuits, and infotainment systems
-  Telecommunications : Base station power supplies, RF modules, and signal processing
-  Industrial Control : PLC I/O protection, motor drive circuits, and sensor interfaces
-  Renewable Energy : Solar charge controllers and power optimizers

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage Drop : Typically 0.38V at 1A, reducing power losses
-  Fast Switching Speed : Reverse recovery time <5ns, suitable for high-frequency applications
-  High Current Capability : Continuous forward current rating of 2A
-  Temperature Stability : Maintains performance across -55°C to +150°C range
-  Compact Package : SOD-123FL surface-mount package saves board space

 Limitations: 
-  Higher Reverse Leakage : Compared to PN junction diodes, especially at elevated temperatures
-  Voltage Rating : Maximum reverse voltage of 40V limits high-voltage applications
-  Thermal Considerations : Requires proper heat dissipation at maximum current ratings
-  ESD Sensitivity : Schottky diodes are generally more sensitive to ESD than standard diodes

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Management Issues 
-  Problem : Overheating when operating near maximum current ratings
-  Solution : Implement proper thermal vias, adequate copper area, and consider derating above 85°C

 Pitfall 2: Reverse Recovery Oscillations 
-  Problem : Ringing during fast switching due to parasitic inductance
-  Solution : Add small snubber circuits (RC networks) and minimize loop area

 Pitfall 3: ESD Damage During Handling 
-  Problem : Static discharge during assembly can degrade performance
-  Solution : Follow ESD protocols and consider additional protection diodes in sensitive applications

 Pitfall 4: Avalanche Energy Mismatch 
-  Problem : Assuming avalanche capability without verification
-  Solution : Refer to manufacturer datasheet for repetitive avalanche energy ratings

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 With Microcontrollers: 
- Ensure forward voltage drop doesn't interfere with logic level thresholds
- Consider using lower Vf diodes for 3.3V systems

 With Switching Regulators: 
- Verify reverse recovery characteristics match switching frequency requirements
- Ensure current rating exceeds peak inductor current with margin

 In Parallel Configurations: 
- Avoid parallel connection without current balancing resistors due to Vf variations
- Consider using single higher-current diode instead of parallel configuration

 With Capacitive Loads: 
- May experience high inrush currents during turn-on
- Implement soft-start circuits or current limiting where necessary

### 2.3 PCB Layout

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